真空制鹽時(shí)如何提高鹽晶體成長(cháng)率？

      真空制鹽蒸發(fā)器應用較多，經(jīng)過(guò)多個(gè)廠(chǎng)家生產(chǎn)實(shí)踐證明，真空制鹽蒸發(fā)器是相對比較成功的蒸發(fā)設備?？稻拜x小編和大家一起聊聊真空制鹽如何提高鹽晶體成長(cháng)率
      在真空制鹽行業(yè)中，蒸發(fā)和結晶是重要的化工單元，處于關(guān)鍵地位并起主導作用。
      目前我們所采用的蒸發(fā)結晶器是在原始蒸發(fā)裝置的基礎上發(fā)展起來(lái)的，它不再是僅僅為了強化傳熱及蒸發(fā)能力而獲得產(chǎn)品﹐同時(shí)更主要的是以提高結晶產(chǎn)品的質(zhì)量和粒度為目的。
      鹽晶核、晶體的成長(cháng)如何提高成長(cháng)率？要從以下6個(gè)方面著(zhù)手
      1、晶體成長(cháng)的推動(dòng)力是溶液的過(guò)飽和濃度差和傳質(zhì)速度，過(guò)飽和溶液中溶質(zhì)擴散到晶核附近的相對靜止液層并穿過(guò)相對靜止溶液層到達晶體表面結晶生長(cháng)在其表面上，使其晶體長(cháng)，并放出結晶熱，熱量再依靠擴散傳遞到溶液中去。
      2、溶液的溫度，在相同的時(shí)間和相同的溶液過(guò)飽和濃度差條件下，溶液的溫度越高，溶液的粘度越小，溶質(zhì)的擴散速度越快，晶體的成長(cháng)速度也快，因此，溶液溫度高時(shí)，容易得到粒徑較大的產(chǎn)品。
      3、溶液中的雜質(zhì)濃度及懸浮物的變化：在相同的溫度條件下，溶液中雜質(zhì)含量及懸浮物增加﹐則溶液濃度增高。溶液粘度上升﹐溶液的擴散速度下降﹐晶體的成長(cháng)速度也減小。
      4、晶體在蒸發(fā)結晶器停留時(shí)間：根據溶液中 NaCl的成核速率與產(chǎn)品排出速率基本一致，NaCI晶體的成長(cháng)速率和產(chǎn)品粒徑的要求，從而確定晶體在蒸發(fā)結晶器的停留時(shí)間。
      5、循環(huán)溶液流量：當加熱蒸汽量一定時(shí)循環(huán)溶液流量和溶液的過(guò)飽和度成反比的函數關(guān)系，而循環(huán)流量又確定了蒸發(fā)結晶器各部位的流速大小，速度大又引起晶體之間、晶體與器壁之間的碰撞加劇，致使晶體破碎成二次晶核的可能性增大﹐對產(chǎn)品粒徑影響也很大﹐因此要有適當的流量。
      6、鹽漿濃度：指參加循環(huán)料液中的晶體濃度，又叫固液比，在其它條件一定的前提下，鹽漿濃度高則蒸發(fā)結晶器晶體的保有量多。
      晶體停留時(shí)間增長(cháng)有利于料液過(guò)飽和度的消除和晶體成長(cháng)。但鹽漿濃度過(guò)高﹐晶體之間、晶體與器壁之間碰撞機率增多﹐晶體被破碎成二次晶核的機率也多,對晶體成長(cháng)也不利,所以應控制適當的晶體濃度才行，一般的固液比控制在20%左右為宜。